2010年NAND Flash市场高低容量芯片价格将走向两极化。其中低容量芯片受3-bit-per-cell架构的TLC(Triple-Level Cell)技术成熟影响，成本可望大幅下降，产出也能大幅增加，因此价格将进一步走弱;高容量芯片受消费性电子系统大厂、手机大厂、固态硬碟(SSD)等应用的带动，价格得到一定的支撑。NAND Flash价格两极化发展趋势已渐渐明朗。
TLC架构的NAND Flash芯片是MLC(Multi-Level Cell)技术的下一世代，就像过去SLC(Single-Level Cell) 技术转MLC技术一样，会带动NAND Flash芯片产出大增，价格大幅下滑，消费者是最大赢家，相关的快闪记忆卡、小型记忆卡、随身碟等产品价格会越来越便宜。
然部分电子产品相关应用，只能采用高容量NAND Flash芯片，不能用TLC芯片，例如手机内嵌式存储器、SSD、高速的快闪记忆卡等，因此高容量NAND Flash芯片仍保有相当庞大的市场需求在，2010年价格会相对较稳定。
2009年MLC芯片占全球NAND Flash市场产出比重将近90%，预计2010年MLC芯片比重可达70%以上，TLC芯片出货从无到有可达20%比重。在终端应用方面，2010年预计手机和MP3播放器会消耗最多的NAND Flash产出。在产品主流方面，2009年16Gb芯片NAND Flash产品是主流，2010年32Gb芯片将跃升为主流。
传感器技术的发展方
