东芝首家宣布19nm闪存工艺

发布日期：2015-03-07 浏览次数：72

　　上周Intel美光合资的IMFT公司刚刚宣布20nm闪存工艺，创造了闪存制造技术的新纪录。本周这一纪录马上再被打破，东芝今天就宣布了自己的19nm NAND闪存制造技术。
　　
　　东芝表示，该技术目前已经应用在2bpc（即MLC）64Gbit（8GB）NAND闪存芯片上，可用于固态硬盘或智能手机、平板机内置存储等。未来还将应用于3bpc产品，主要用于U盘存储卡等。
　　
　　东芝表示，其19nm工艺NAND闪存产品支持Toggle DDR2.0标准，可提升传输速度。同时由于工艺提升导致的芯片面积下降，他们可以在同一颗芯片内封装16片64Gbit 闪存，实现单芯片128GB容量，面向智能手机、平板机等空间有限的产品。
　　
　　东芝的19nm工艺2bpc（MLC）64Gbit NAND闪存将于本月底出货样品，今年第三季度实现量产，基本和Intel／美光的20nm工艺同步。
　　
　　更新：作为东芝的闪存技术合作伙伴，SanDisk也同期宣布了19nm闪存工艺。