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“快恢复二极管APT2X30D40J原装现货技术参数价格资料”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 认证： | rosh |
| 类型： | 单管 | 安装方式： | 直插型 |
| 封装形式： | 塑料封装 | 应用： | 整流 |
| 品牌： | Microsemi | 是否进口： | 是 |
| 型号： | APT2X30D40J | 规格： | 1 |
| 商标： | Microsemi | 包装： | 盒装 |
“快恢复二极管APT2X30D40J原装现货技术参数价格资料”详细介绍
快恢复二极管作用一般地说用于较高频率的整流和续流。至于电源模块的输入部份，好像频率不高，不必用快恢复二极管，用普通二极管即可。
快恢复二极管采用TO–220或TO–3P封装的大功率快恢复二极管，有单管和双管之分。双管的管脚引出方式又分为共阳和共阴。通常，5~20A的快恢复二极管管采用TO–220FP塑料封装，20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO–3P塑料封装，5A以下的快恢复二极管则采用DO–41、DO–15或DO–27等规格塑料封装。
快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。
动态电阻Rd
二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。
最高工作频率Fm
Fm是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以Fm的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。
电压温度系数αuz
αuz指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。uz为6v左右的稳压二极管的温度稳定性较好
快恢复二极管APT2X30D40J原装现货技术参数价格资料
价格：1
产品种类: 快恢复二极管
制造商: Vishay
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-227
Vr - 反向电压 : 400 V
If - 正向电流: 280 A
类型: Fast Recovery Rectifiers
配置: Dual
Vf - 正向电压: 1.06 V
最大浪涌电流: 1.3 kA
Ir - 反向电流 : 1.3 uA
恢复时间: 93 ns
系列: VS-UFB
封装: Bulk
商标: Vishay Semiconductors
高度: 12.3 mm
长度: 38.3 mm
最大工作温度: + 175 C
最小工作温度: - 55 C
工作温度范围: - 55 C to + 175 C
Pd-功率耗散: -
产品: Rectifiers
工厂包装数量: 10
宽度: 25.7 mm
单位重量: 30 g
反向击穿
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。
雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结永久性损坏。
常规检测方法
在业余条件下，利用万用表能检测快恢复、超快恢复二极管的单向导电性，以及内部有无开路、短路故障，并能测出正向导通压降。若配以兆欧表，还能测量 反向击穿电压。实例：测量一只C90-02超快恢复二极管，其主要参数为：trr=35ns，Id=5A，IFSM=50A，VRM=700V。外型同图(a)。将500型万用表拨至R×1档，读出正向电阻为6.4Ω，n′=19.5格；反向电阻则为无穷大。进一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。证明管子是好的。
关于更多快恢复二极管的相关信息请进入我司网站查看：http://www.highfel.com/
快恢复二极管采用TO–220或TO–3P封装的大功率快恢复二极管，有单管和双管之分。双管的管脚引出方式又分为共阳和共阴。通常，5~20A的快恢复二极管管采用TO–220FP塑料封装，20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO–3P塑料封装，5A以下的快恢复二极管则采用DO–41、DO–15或DO–27等规格塑料封装。
快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。
动态电阻Rd
二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。
最高工作频率Fm
Fm是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以Fm的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。
电压温度系数αuz
αuz指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。uz为6v左右的稳压二极管的温度稳定性较好
快恢复二极管APT2X30D40J原装现货技术参数价格资料
价格：1
产品种类: 快恢复二极管
制造商: Vishay
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-227
Vr - 反向电压 : 400 V
If - 正向电流: 280 A
类型: Fast Recovery Rectifiers
配置: Dual
Vf - 正向电压: 1.06 V
最大浪涌电流: 1.3 kA
Ir - 反向电流 : 1.3 uA
恢复时间: 93 ns
系列: VS-UFB
封装: Bulk
商标: Vishay Semiconductors
高度: 12.3 mm
长度: 38.3 mm
最大工作温度: + 175 C
最小工作温度: - 55 C
工作温度范围: - 55 C to + 175 C
Pd-功率耗散: -
产品: Rectifiers
工厂包装数量: 10
宽度: 25.7 mm
单位重量: 30 g
反向击穿
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。
雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结永久性损坏。
常规检测方法
在业余条件下，利用万用表能检测快恢复、超快恢复二极管的单向导电性，以及内部有无开路、短路故障，并能测出正向导通压降。若配以兆欧表，还能测量 反向击穿电压。实例：测量一只C90-02超快恢复二极管，其主要参数为：trr=35ns，Id=5A，IFSM=50A，VRM=700V。外型同图(a)。将500型万用表拨至R×1档，读出正向电阻为6.4Ω，n′=19.5格；反向电阻则为无穷大。进一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。证明管子是好的。
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