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“矿用双护套漏泄同轴电缆_MSLYFYVZ-75-9漏泄电缆”参数说明
| 形状： | 圆线 | 用途： | 井下通信 |
| 网络： | 线缆 | 直径大小： | 粗同轴电缆 |
| 型号： | MSLYFYVZ | 规格： | MSLYFYVZ |
| 商标： | 矿用漏泄电缆_矿用双护套漏泄同轴电缆 | 包装： | 矿用漏泄电缆_矿用双护套漏泄同轴电缆 |
| 产量： | 100000 |
“矿用双护套漏泄同轴电缆_MSLYFYVZ-75-9漏泄电缆”详细介绍
矿用双护套漏泄同轴电缆用途
用于矿山、地铁、隧道、地下设施在建筑物内部在无线电波不能直接传播与传播不良的特殊环境下作通信系统传输线。有MSLYFYVZ-75-9漏泄电缆、MSLYFYVZ-50-9漏泄电缆两种。 MSLYFYVZ型为双护套，MSLYFVZ型为单护套。兼有信号传输线和天线的双重功能。
MSLYFYVZ矿用双护套漏泄同轴电缆敷设方法
在条件允许的巷道，漏泄电缆应吊挂在巷道顶部的中心处与顶板相距200mm。漏泄电缆要吊挂在直径不少于4mm镀钵铁线挂钩下，距挂钩100mm。挂钩固定在巷道顶板上，挂钩间距5-10M，吊挂电缆的吊线必须与挂钩绝缘。
也可敷设可挂在巷壁的电缆支架上，用外皮绝缘的独股塑胶札线固定，支架间距5-10M。 漏泄电缆与1000V以上高压线交越时相距不小于200mm，与其它线缆交越间距不小于100mm。任何金属裸线，金属网均不得接触电缆和中继放大器。
漏泄电缆敷设施工，必须从基地站开始向外敷设，不允许反向敷设。 漏泄电缆敷设时大盘架在机车上，随着电缆布放转动尽量用人力拉 放，并注意拉力大小，防止电缆受大的冲击力和拉力。 漏泄电缆的末端应保证内导体和外导体之间的开路状态，即将外导体剪短20mm，并安装专用电缆接线盒作终端处理。
中继放大器的安装应在开通调试时进行，将中继放大器两端吊挂起来，保证中继器的两头电缆不受张力。 电缆敷设时每隔50m留出一个调整驰度，直径0.4m，弧长0.5 凡遇巷道拐弯时，电缆均要作专门固定，间距小于1.5m，漏泄电缆最小弯曲半径为0.2m。 为保证通讯质量，建议每500米加装一双向中继放大器。
用于矿山、地铁、隧道、地下设施在建筑物内部在无线电波不能直接传播与传播不良的特殊环境下作通信系统传输线。有MSLYFYVZ-75-9漏泄电缆、MSLYFYVZ-50-9漏泄电缆两种。 MSLYFYVZ型为双护套，MSLYFVZ型为单护套。兼有信号传输线和天线的双重功能。
MSLYFYVZ矿用双护套漏泄同轴电缆敷设方法
在条件允许的巷道，漏泄电缆应吊挂在巷道顶部的中心处与顶板相距200mm。漏泄电缆要吊挂在直径不少于4mm镀钵铁线挂钩下，距挂钩100mm。挂钩固定在巷道顶板上，挂钩间距5-10M，吊挂电缆的吊线必须与挂钩绝缘。
也可敷设可挂在巷壁的电缆支架上，用外皮绝缘的独股塑胶札线固定，支架间距5-10M。 漏泄电缆与1000V以上高压线交越时相距不小于200mm，与其它线缆交越间距不小于100mm。任何金属裸线，金属网均不得接触电缆和中继放大器。
漏泄电缆敷设施工，必须从基地站开始向外敷设，不允许反向敷设。 漏泄电缆敷设时大盘架在机车上，随着电缆布放转动尽量用人力拉 放，并注意拉力大小，防止电缆受大的冲击力和拉力。 漏泄电缆的末端应保证内导体和外导体之间的开路状态，即将外导体剪短20mm，并安装专用电缆接线盒作终端处理。
中继放大器的安装应在开通调试时进行，将中继放大器两端吊挂起来，保证中继器的两头电缆不受张力。 电缆敷设时每隔50m留出一个调整驰度，直径0.4m，弧长0.5 凡遇巷道拐弯时，电缆均要作专门固定，间距小于1.5m，漏泄电缆最小弯曲半径为0.2m。 为保证通讯质量，建议每500米加装一双向中继放大器。
MSLYFYVZ型矿用漏泄电缆技术指标产品型号、结构数据及性能参数
| 结构数据 | 单位 | 产品型号规格 | |||
| MSLYFYVZ-75-9 | MSLYFYVZ-50-9 | ||||
| 结构尺寸 | 圆铜线内导体 | mm | 2.0 | 3.5 | |
| 物理发泡聚乙烯绝缘 | mm | 8.8 | 8.8 | ||
| 平行导线栅型外导体 | mm | 10 | 10 | ||
| 黑色聚乙烯内护层 | mm | 12.5 | 12.5 | ||
| 黄色聚氯乙烯外护套 | mm | 14.5 | 14.5 | ||
| 电气性能 | 耐电压（A.C） | V/min | 1500/1 | 1500/1 | |
| 20℃绝缘电阻 | MΩ·km | 1000 | 1000 | ||
| 特性阻抗 | Ω | 75±3 | 50±3 | ||
| 衰减常数 | 60MHz | dB/km | ≤40 | ≤45 | |
| 150MHz | dB/km | ≤55 | ≤60 | ||
| 电压驻波比 60~150MHz | ≤1.5 | ≤1.5 | |||
| 耦合损耗 | 60MHz | dB | 80±10 | 85±10 | |
| 150MHz | dB | 80±10 | 75±10 | ||
