“串行FLASH存储器(W25Q64BVSFIG/W25Q128BVSFI)”参数说明
型号: | W25Q64BVSFIG/W25Q128BVSFI | 规格: | 9000PCS/包 |
商标: | WINBOND | 包装: | Sop-8 |
产量: | 10000PCS |
“串行FLASH存储器(W25Q64BVSFIG/W25Q128BVSFI)”详细介绍
Winbond SPI Flash系列,优势价格支持,欢迎您的选用。
选择winbond串行闪存的理由:
1.能够减少微处理器的封装管脚数目
2.线路板(PCB)可以更小,更简单
3.能够减少系统电路切换噪声
4.能够降低系统功能及制造成本
Winbond SDRAM系列:W9816G6IH-6 1M*16、W9864G6IH-6 4M*16、W9812G6IH-6 8M*16、W9825G6EH-6 16M*16
选择winbond串行闪存的理由:
1.能够减少微处理器的封装管脚数目
2.线路板(PCB)可以更小,更简单
3.能够减少系统电路切换噪声
4.能够降低系统功能及制造成本
Winbond SDRAM系列:W9816G6IH-6 1M*16、W9864G6IH-6 4M*16、W9812G6IH-6 8M*16、W9825G6EH-6 16M*16
“串行FLASH存储器(W25Q64BVSFIG/W25Q128BVSFI)”其他说明
型号 | 容量 | 电压 | 工作温度 | 最大频率 | 封装 |
W25X10BVSNIG | 1M-bit | 2.7-3.6V | -40 ~ +85 ℃ | 100MHz | SOIC8 |
W25X20BVSNIG | 2M-bit | 2.7-3.6V | -40 ~ +85 ℃ | 100MHz | SOIC8 |
W25X40BVSNIG | 4M-bit | 2.7-3.6V | -40 ~ +85 ℃ | 100MHz | SOIC8 |
W25Q80BVSSIG | 8M-bit | 2.7-3.6V | -40 ~ +85 ℃ | 104MHz | SOIC8 |
W25Q16BVSSIG | 16M-bit | 2.7-3.6V | -40 ~ +85 ℃ | 104MHz | SOIC8 |
W25Q32BVSSIG | 32M-bit | 2.7-3.6V | -40 ~ +85 ℃ | 104MHz | SOIC8 |
W25Q64BVSFIG | 64M-bit | 2.7-3.6V | -40 ~ +85 ℃ | 80MHz | SOIC16 |
W25Q128BVFIG | 128M-bit | 2.7-3.6V | -40 ~ +85 ℃ | 104MHz | SOIC16 |