“场效应管IRF4905现货供应 IR全新原装”参数说明
是否有现货: | 是 | 品牌: | IR |
类型: | 耗尽型MOS管(N沟道) | 材料: | GE-P-FET锗P沟道 |
封装外形: | To220 | 用途: | MOS-INM/独立组件 |
导电方式: | 增强型 | 型号: | IRF4905PBF |
规格: | 原装 | 商标: | IR |
包装: | 管件 |
“场效应管IRF4905现货供应 IR全新原装”详细介绍
类别 | 分立半导体产品 |
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 |
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制造商 | Infineon Technologies |
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系列 | HEXFET® |
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包装 | 管件 |
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零件状态 | 在售 |
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FET 类型 | P 沟道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) |
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漏源电压(Vdss) | 55V |
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 74A(Tc) |
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
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不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 180nC @ 10V |
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 3400pF @ 25V |
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Vgs(最大值) | ±20V |
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FET 功能 | - |
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功率耗散(最大值) | 200W(Tc) |
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不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 20 毫欧 @ 38A,10V |
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工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
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安装类型 | 通孔 |
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供应商器件封装 | TO-220AB |